FM25V01A-GTR
- 品牌：
赛普拉斯
- 封装：
SOP-8
- 数量：
35668
- 备注：
存储器FM25V01A-GTR特性每秒128比特铁电随机存取存储器(F-RAM)在逻辑上组织为16k×8highEndurance100万亿(1014)读/写151年数据保留(见表)数据保留和耐力NoDelay写道先进高可靠性的铁电过程很快串行外围接口(SPI)40-MHz频率直接硬件代替串行flash和eepm支持SPI模式0(0,0)和模式3(1)1)Sophisticated写保护方案Hardware保护使用WriteProtect(WP)销Software保护使用WriteDisable指令Software块保护1/4,1/2,或整个数组DeviceIDManufacturerID和ProductIDLow功耗2.5-mA有功电流40MHz150-A待机电流8-A睡眠模式当前Low-voltageoperation:VDD=2.0V3.6VIndustrialtemperature:–40C,+85C有小轮廓集成电路(SOIC)包Restriction的有害物质(RoHS)兼容 存储器FM25V01A-GTR是一个128kbit的非易失性存储器，采用了先进的铁电法。存储器FM25V01A-GTRF-RAM是非易失性的，执行的读和写类似于RAM。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，存储器FM25V01A-GTR以总线速度执行写操作。没有发生写延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入内存数组。下一个巴士循环可在不需要进行数据轮询的情况下开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有较强的写持久性。FM25V01A能够支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写周期。这些功能使FM25V01A非常适合需要频繁或快速写入的非易失性内存应用程序。例如，从数据日志记录(写入周期的数量可能至关重要)到要求工业控制(串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失)。FM25V01A为串行EEPROM或flash的用户提供了大量的好处，作为硬件替代。FM25V01A采用高速SPI总线，提高了F-RAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读设备ID，允许主机确定制造商、产品密度和产品修订。The设备规范是保证在一个工业范围的–40C,+85C.
- 批号：
23+
- 价格：
