您好,欢迎来到深圳市旺财半导体有限公司

S34ML01G100TFI000

  • 品牌:

    赛普拉斯

  • 封装:

    TSOP48

  • 数量:

    35668

  • 备注:

    NANR闪存S34ML01G100TFI000密度1Gb/2Gb/4Gb架构输入/输出总线宽度:8位或16位页面大小:××8=2112(2048+64)字节;64字节为空闲区x16=1056(1024+32)个单词;32字是备用区域块大小:64页××8=128KB+4KB乘16=64k+2k字平面尺寸:1Gb/2Gb:1024块每架飞机×8=128MB+4MB乘16=64+2米字4Gb:2048块每架飞机×8=256MB+8MB乘16=128+4m字设备大小:1Gb:1平面/设备或128MB2Gb:2飞机/设备或256MB4Gb:2飞机/设备或512MB NANR闪存S34ML01G100TFI000NAND闪存接口开放NAND闪存接口(ONFI)1.0兼容地址、NANR闪存S34ML01G100TFI000数据和命令多路复用电源电压3.3-v设备:Vcc=2.7V~3.6V安全一次可编程(OTP)区域硬件程序/消除权力过渡期间禁用附加功能2Gb和程序支持多翼机4Gb部分擦除命令支持复制程序2Gb和程序支持多翼机复制4Gb部分支持读缓存NANR闪存S34ML01G100TFI000电子签名制造商ID:01h操作温度工业:-40°C到85°C汽车:-40°C到105°C 性能页面读/程序随机访问:25μs(Max)顺序存取:25ns(Min)项目时间/多翼机项目时间:200年μs(Typ)块擦除(S34ML01G1)块擦除时间:2.0毫秒(Typ)块擦除/多翼机擦除(S34ML02G1S34ML04G1)块擦除时间:3.5毫秒(Typ)可靠性100000项目/消除周期(Typ)每528个字节(1位ECC(×8)或264字())10年数据保留(Typ) For一架飞机结构(1-Gbdensity)Block零有效,有效期为至少1000program-erase周期与ECCFor两平面结构(2-Gb4-Gbdensities)Blocks0和1是有效且有效期至少1000program-erase周期ECCPackage选项LeadFree和LowHalogen48-PinTSOP12201.2毫米63-BallBGA9111毫米

  • 批号:

    23+

  • 价格:

S-8330A24FS-T2-G

  • 品牌:

    精工

  • 封装:

    SSOP8

  • 数量:

    35668

  • 备注:

  • 批号:

    23+

  • 价格:

SBB5089Z

  • 品牌:

    RFMD

  • 封装:

    SOT-89-3

  • 数量:

    35668

  • 备注:

  • 批号:

    23+

  • 价格:

SBF4089Z

  • 品牌:

    RFMD

  • 封装:

    SOT-89-3

  • 数量:

    35668

  • 备注:

  • 批号:

    23+

  • 价格:

STM32F103RFT6

  • 品牌:

    ST

  • 封装:

    LQFP64

  • 数量:

    35668

  • 备注:

  • 批号:

    23+

  • 价格:

STM32F401RCT6

  • 品牌:

    ST

  • 封装:

    LQFP64

  • 数量:

    35668

  • 备注:

    微控制器STM32F401RCT6256KBFlash/64KBRAM,11TIMs,1ADC,11comme.interfacesdataheet-微控制器STM32F401RCT6生产数据特性·动态效率线与BAM(批量采集模式)-1.7V至3.6V电源--40°C至85/105/125°C温度范围·核心:手臂32位皮层m4CPUFPU,自适应实时加速器(艺术加速器)允许0-wait状态执行从闪存,频率84MHz,内存保护单元,105DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1),和DSP指令-256kb的闪存记忆-512字节的OTP存储器-64kb的SRAM时钟,重置和供应管理-微控制器STM32F401RCT61.7V至3.6V应用程序供应和I/o——穷,PDR,PVD和BOR-4-to-26MHz晶体振荡器内部16兆赫factory-trimmedRC-32kHz振荡器与校准RTC-内部32kHzRC校准功耗-运行:128μA/MHz(外围)——停止(Flash在停止模式下微控制器STM32F401RCT6,快速唤醒时间):42μAtyp@25°C;65μA马克斯@25°C-停止(Flash深陷权力模式,降低唤醒时间):到10μAtyp@25°C;28μA马克斯@25°C-备用:2.4μA@251.7°C/V没有清债信托公司;12μA@85°C@1.7V-V蝙蝠RTC的供应:1μA@25°C1×12位,2.4议员A/D转换器:16频道通用DMA:16-streamDMA控制器与fifo和破裂支持11定时器:六16位,两个32位计时器84MHz,每4IC/OC/PWM脉冲计数器和正交(增量)编码器输入,两个看门狗定时器(独立和窗口)和一个SysTick计时器调试模式——串行线调试门限)和JTAG接口-Cortex-M4嵌入式跟踪宏单元81I/O端口使用中断功能——所有IO端口5V宽容——78快速I/O42MHz通讯接口-311×I2C接口(1mbit/s,SMBus/PMBus)-3USARTs(2x10.5Mbit/s,1x5.25Mbit/s),ISO7816接口,林,红外线,调制解调器控制)-4spi(42Mbit/sfCPU=84MHz),SPI2和SPI3muxfullduplexi2实现音频类通过内部音频锁相环或外部时钟精度-SDIO界面高级连接USB2.0全速设备/主机/OTG控制器与芯片上的PHYCRC计算单位96位惟一的IDRTC:次秒级精度,硬件日历所有包ECOPACK2

  • 批号:

    23+

  • 价格:

TAS5122DCARG4

  • 品牌:

    TI

  • 封装:

    HTSOP56

  • 数量:

    35668

  • 备注:

    2×30W(线下)61kHz动态范围95-dB(在系统中与TAS5026)音频放大器TAS5122DCARG4 90%成6-负载自我保护的设计(包括电压过低,温度过高,短路 条件)带有错误报告内部栅驱动电源电压调节器与EMI兼容时使用推荐系统设计应用程序DVD接收机家庭影院 音频放大器TAS5122DCARG4小型/微型组件系统互联网音乐设备TAS5122是一种高性能的集成立体声 数字放大器功率级设计6-开车每个频道的扬声器功率可达30w。该设备音频放大器TAS5122DCARG4 整合德州仪器的纯路径数字技术和is与数字音频PWM处理器(TAS50XX)和 音频放大器TAS5122DCARG4一个简单的,被动解调滤波器提供 高品质,高效率,真实的数字音频放大。 这种数字放大器的效率通常更高音频放大器TAS5122DCARG4 超过90%。过电流保护、超温和欠压保护是内置的 TAS5122,保护设备和扬声器免受 可能损坏系统的故障情况。 点击和弹出减少

  • 批号:

    23+

  • 价格:

TLC2543CDW

  • 品牌:

    TI

  • 封装:

    SOIC20

  • 数量:

    35668

  • 备注:

  • 批号:

    23+

  • 价格:

TLE6368G2

  • 品牌:

    INFINEON

  • 封装:

    SO36

  • 数量:

    3568

  • 备注:

  • 批号:

    23+

  • 价格:

TLE8110EDXUMA1

  • 品牌:

    INFINEON

  • 封装:

    DO36

  • 数量:

    35668

  • 备注:

    在特定的应用情况下,如驱动单极步进电机,有可能产生反向电流电源开关TLE8110EDXUMA1 通过通道。反向电流发生时,有电流从输出而不是进入电源开关TLE8110EDXUMA1 输出。这种行为可能发生在您的应用程序具有感应负载时。这种反向电流 干扰相邻通道的诊断电路,导致诊断结果错误。减少 发生这种情况的可能性是,通道7~10的故障滤波时间可以延长到2.5ms(典型)或5ms (典型的)通过设置“诊断盲时间”-位(DEV.DBTx)。电源开关TLE8110EDXUMA1 对于导致反向电流的故障情况,该设备包含“反向电流保护” 比较器”(RCP)。RCP特性可以通过设置DEVS来激活。RCP位通过SPI接口。当电源开关TLE8110EDXUMA1 RCP功能被激活,一个比较器监视输出电压。如果输出电压低于-0.3V, 打开输出晶体管,以防止不必要的衬底电流流动。如果反向电流超过 当达到一定值时,晶体管被关闭,电流就会流过二极管体的输出 晶体管。RCP功能将锁存晶体管在关闭状态,直到反向电流衰减到零 一次。只有这样,比较器才能在延迟时间tRCP_on_delay之后再次被激活。这个函数可以减少 反向电流对电路模拟部分(如诊断)的不需要的影响。 在下面的图中,我们看到了RCP的行为。在图4中,我们看到典型的反向电流阈值 三个通道组的温度过高。 DBT1的典型值为2.5ms,范围在1.75ms到3.25ms之间。没有设置诊断盲 对于这种特殊情况,我们有一个不需要的打开负载诊断条目。但是我们也可以 请注意此诊断条目不是TLE8110ED的故障。这是步进电机的行为,而不是 当Vbat为6v时,能够在不丢失步骤的情况下驱动,并断开一个阶段。 输出端测得的电压值为: 由电阻负载引起的电压。

  • 批号:

    23+

  • 价格:

TOP227YN

  • 品牌:

    POWER

  • 封装:

    TO-220

  • 数量:

    35668

  • 备注:

  • 批号:

    23+

  • 价格:

深圳市旺财半导体有限公司

  • 联系人:

    李先生

  • QQ:

  • 手机:

    13332916726

  • 电话:

    0755-83209217

  • 地址:

    深圳市福田区振华西路华康大厦二栋603室/柜台地址:华强广场Q2C022/工厂地址:宝安华丰工业区A栋7楼

电子元器件