IS61NLP25618A-200TQLI
- 品牌：
ISSI
- 封装：
TQFP100
- 数量：
3568
- 备注：
IS61NLP12832AIS61NLP12836A/IS61NVP12836AIS61NLP25618A/IS61NVP25618A特性 存储器IS61NLP25618A-200TQLI100%总线利用率之间没有等待周期读写内部山顶的写周期存储器IS61NLP25618A-200TQLI单个字节写控制单一R/W(读/写)控制销时钟控制,注册地址、数据和控制交叉或线性破裂顺序控制使用模式输入三个芯片使简单的深度发展和解决流水线断电模式通用数据输入和数据输出CKE销,使时钟和停止作业100-销TQFP电平,·电源:NVP:VDD2.5V(±5%)，VDDQ2.5V(±5%)NLP:VDD3.3V(±5%)，VDDQ3.3V/2.5V(±5%描述存储器IS61NLP25618A-200TQLI 4MegNLP/NVP系列产品具有高速、存储器IS61NLP25618A-200TQLI低功耗同步静态ram，旨在为网络和通信应用程序提供一个稳定、高性能、无等待状态的设备。它们由32位128K字、36位128K字和18位256K字组成，采用ISSI先进的CMOS技术制造。结合“不等待”状态特性，当总线从读切换到写或从写切换到读时，将消除等待周期。该装置集成了一个2位突发计数器，高速SRAM核心，高驱动能力输出到一个单一的单片机。所有通过寄存器的同步输入都由一个正边触发的单时钟输入控制。当时钟启用时，可能会挂起操作并忽略所有同步输入，CKE值很高。在这种状态下，内部设备将保存它们以前的值。所有读、写和取消选择循环都由ADV输入发起。当ADV高时，内部突发计数器增加。新的外部地址可以加载时，ADV低。写周期在内部是自动计时的，它是由时钟输入的上升沿和我们处于低电平时启动的。单独的字节允许写入单独的字节。突发模式pin(mode)定义突发序列的顺序。当系高时，选择交错爆破序列。当绑定较低时，选择线性突发序列。
- 批号：
23+
- 价格：
IS61WV20488FBLL-10BLI
- 品牌：
ISSI
- 封装：
BGA
- 数量：
35668
- 备注：
2Mx8高速异步CMOS静态RAM,3.3V/1.8V供电 随机存储器IS61WV20488FBLL-10BLIFEATURESHigh-speed访问time:8ns,10ns,20nsHigh-performance,低功率CMOS过程Multiple中心电力和地面销更大的噪声免疫力TTL兼容的输入和输出Single电源–V1.65-2.2VVDD(IS61WV20488FALL)–V2.4-3.6VVDD(IS61/64WV20488FBLL)随机存储器IS61WV20488FBLL-10BLI Packages:-44销TSOP(TypeII)-48球迷你BGA(6mmx8mm)-随机存储器IS61WV20488FBLL-10BLI54销TSOP(TypeII) IndustrialAutomotive温度支持Lead-free可用DataControl上下bytes ISSIIS61/64WV20488FALL/BLL是高速、16M位静态ram，由8位组成2048K个单词。随机存储器IS61WV20488FBLL-10BLI它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这一高度可靠的过程加上创新的电路设计技术，产生高性能和低功耗的设备。当c#高(非选)时，设备采用待机模式，在待机模式下，功耗可以随着CMOS输入电平的降低而降低。简单的内存扩展是通过使用芯片启用和输出启用输入提供的。activeLOWWriteEnable(WE#)控制内存的写入和读取。这些设备采用JEDEC标准的44针TSOP(II型)、48针miniBGA(6mmx8mm)和54针TSOP(II型)进行封装
- 批号：
23+
- 价格：
IS61WV5128BLL-10KLI
- 品牌：
ISSI
- 封装：
SOJ36
- 数量：
35668
- 备注：
描述ISSI是61wv5128axx和IS61/64WV5128Bxx 非常高速，低功耗，524288字由8位CMOS静态ram。IS61WV5128Axx和 IS61/64WV5128Bxx是用ISSI的high-制造的CMOS技术性能。这是非常可靠的亲 cess结合创新的电路设计技术，具有更高的性能和更低的功耗设备。当CE高(取消选择)时，设备假定 一种功耗可以达到的待机模式 随着CMOS输入电平的降低而降低。IS61WV5128Axx和IS61/64WV5128Bxx运行从一个单一的电源。 IS61WV5128ALL和IS61/64WV5128BLL是有效的能够在36针400-milSOJ,36针迷你BGA，和44针TSOP(II型)包装。IS61WV5128ALL/肌萎缩性侧索硬化症IS61WV5128BLL/劳工统计局IS64WV5128BLL/劳工统计局 512Kx8高速异步CMOS静态RAM2009年8月描述ISSI是61wv5128axx和IS61/64WV5128Bxx非常高速，低功耗，524288字由8位CMOS静态ram。IS61WV5128Axx和存储器IS61WV5128BLL-10KLI IS61/64WV5128Bxx是用ISSI的high-制造的 CMOS技术性能。这是非常可靠的亲存储器IS61WV5128BLL-10KLI cess结合创新的电路设计技术，存储器IS61WV5128BLL-10KLI 具有更高的性能和更低的功耗存储器IS61WV5128BLL-10KLI 设备。
- 批号：
23+
- 价格：
S29AL016J70BFI020
- 品牌：
赛普拉斯
- 封装：
BGA
- 数量：
35668
- 备注：
NOR闪存S29AL016J70BFI020是一个16mbit3.0伏闪存，由2,097,152个字节或1,048,576个单词组成。NOR闪存S29AL016J70BFI020该设备提供48球细节距BGA(0.8mm节距)，64球强化BGA(1.0mm节距)和48针TSOP包。全字数据(x16)出现在DQ15-DQ0上;字节范围(x8)的数据出现在DQ7-DQ0上。本设备设计为系统内编程，采用标准系统3.0伏VCC供电。写或擦除操作不需要12.0VVPP或5.0VCC。该设备也可以在标准EPROM编程器中编程。该设备提供了55纳秒的访问时间，NOR闪存S29AL016J70BFI020允许高速微处理器无需等待状态运行。为了消除总线争用，该设备具有独立的芯片启用(CE#)、写入启用(WE#)和输出启用(OE#)控件。该设备只需要一个3.0伏的电源就可以实现读写功能。为程序和擦除操作提供内部生成和调节电压。NOR闪存S29AL016J70BFI020是完全兼容JEDEC单电源闪存标准的命令集。命令使用标准微处理器写入时间写入命令寄存器。寄存器内容作为控制擦除和编程电路的内部状态机的输入。写周期还包括内部锁存器地址和编程和擦除操作所需的数据。从设备中读取数据类似于从其他Flash或EPROM设备中读取数据。设备编程是通过执行程序命令序列来实现的。这启动了嵌入式程序算法——一种内部算法，它自动计算程序脉冲宽度，并验证适当的单元格边界。解锁旁路模式只需要两个写入周期，而不是四个，从而加快编程速度
- 批号：
23+
- 价格：
