EP3C5F256C8N
- 品牌：
ALTERE
- 封装：
BGA256
- 数量：
3568
- 备注：
气旋IIILS装置提供以下设计安全功能:可编程逻辑EP3C5F256C8N 配置安全性采用先进的加密标准(AES)，256位 动荡的关键通过QuartusII为设计分离流程优化了路由架构可编程逻辑EP3C5F256C8N 软件设计分离流程实现物理隔离和功能隔离可编程逻辑EP3C5F256C8N 设计分区之间能够禁用外部JTAG端口核心误差检测(ED)循环指示器 在每个ED循环中提供一个通过或失败指示器提供对有意或无意的配置更改的可见性 随机存取内存位能够对FPGA逻辑的内容进行归零处理，填鸭，可编程逻辑EP3C5F256C8N 嵌入式内存，AES密钥 内部振荡器支持系统监控和健康检查功能 增加了系统集成高内存逻辑和多倍逻辑比高I/O计数，中、低密度设备供用户I/O受限 应用程序可调I/O转换速率，提高信号完整性支持LVTTL、LVCMOS、SSTL、HSTL、PCI、PCI-x、 LVPECL、总线LVDS(BLVDS)、LVDS、mini-LVDS、RSDS和PPDS 支持多值片上终端(OCT)校准功能消除过程、电压和温度(PVT)的变化 每台设备有4个锁相环(PLLs)，提供健壮的时钟管理和 综合用于设备时钟管理，外部系统时钟管理，和I/O接口 每锁相环输出5个级联可节省I/Os，简化PCB路由，减少抖动 可动态重构，改变相移、倍频或不重新配置的情况下，在系统中进行除法或同时进行除法和输入频率 设备无需外部控制器，远程系统升级 专用循环冗余码校验电路，检测单事件镦粗(SEU)问题 NiosII嵌入式处理器，适用于CycloneIII系列设备，价格低廉
- 批号：
23+
- 价格：
FM25V01A-GTR
- 品牌：
赛普拉斯
- 封装：
SOP-8
- 数量：
35668
- 备注：
存储器FM25V01A-GTR特性每秒128比特铁电随机存取存储器(F-RAM)在逻辑上组织为16k×8highEndurance100万亿(1014)读/写151年数据保留(见表)数据保留和耐力NoDelay写道先进高可靠性的铁电过程很快串行外围接口(SPI)40-MHz频率直接硬件代替串行flash和eepm支持SPI模式0(0,0)和模式3(1)1)Sophisticated写保护方案Hardware保护使用WriteProtect(WP)销Software保护使用WriteDisable指令Software块保护1/4,1/2,或整个数组DeviceIDManufacturerID和ProductIDLow功耗2.5-mA有功电流40MHz150-A待机电流8-A睡眠模式当前Low-voltageoperation:VDD=2.0V3.6VIndustrialtemperature:–40C,+85C有小轮廓集成电路(SOIC)包Restriction的有害物质(RoHS)兼容 存储器FM25V01A-GTR是一个128kbit的非易失性存储器，采用了先进的铁电法。存储器FM25V01A-GTRF-RAM是非易失性的，执行的读和写类似于RAM。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，存储器FM25V01A-GTR以总线速度执行写操作。没有发生写延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入内存数组。下一个巴士循环可在不需要进行数据轮询的情况下开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有较强的写持久性。FM25V01A能够支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写周期。这些功能使FM25V01A非常适合需要频繁或快速写入的非易失性内存应用程序。例如，从数据日志记录(写入周期的数量可能至关重要)到要求工业控制(串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失)。FM25V01A为串行EEPROM或flash的用户提供了大量的好处，作为硬件替代。FM25V01A采用高速SPI总线，提高了F-RAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读设备ID，允许主机确定制造商、产品密度和产品修订。The设备规范是保证在一个工业范围的–40C,+85C.
- 批号：
23+
- 价格：
