RFPA3809TR13
- 品牌：
RFMD
- 封装：
SOP-8
- 数量：
35668
- 备注：
射频放大器RFPA3809TR13 是专为无线基础设施应用而设计的GaAs HBT线性功率放大器。射频放大器RFPA3809TR13 该高性能单级放大器采用高可靠的GaAs HBT制造工艺，在宽频率范围内实现超高线性。它还提供了低噪声的数字，使它成为一个优秀的解决方案的第二和第三阶段的rna。射频放大器RFPA3809TR13 还通过使用热增强塑料表面安装段塞封装，射频放大器RFPA3809TR13 显示出优异的热性能。射频放大器RFPA3809TR13 dBm马克斯推荐,VCC 29dBm 400 MHz 2700 MHz Operation Thermally Enhanced Slug Package Applications GaAs Pre-Driver 为 Base Station Amplifiers PA Stage 为 Commercial Wireless Infrastructure Class AB Operation 为 DCS, PCS, UMTS, LTE, 和 WLAN Transceiver Applications 2 nd/3rd Stage LNA 为 Wireless Infrastructure
- 批号：
23+
- 价格：
S29AL016J70BFI020
- 品牌：
赛普拉斯
- 封装：
BGA
- 数量：
35668
- 备注：
NOR闪存 S29AL016J70BFI020 是一个16mbit 3.0伏闪存，由2,097,152个字节或1,048,576个单词组成。NOR闪存 S29AL016J70BFI020 该设备提供48球细节距BGA (0.8 mm节距)，64球强化BGA (1.0 mm节距)和48针TSOP包。全字数据(x16)出现在DQ15-DQ0上;字节范围(x8)的数据出现在DQ7-DQ0上。本设备设计为系统内编程，采用标准系统3.0伏VCC供电。写或擦除操作不需要12.0 V VPP或5.0 VCC。该设备也可以在标准EPROM编程器中编程。该设备提供了55纳秒的访问时间，NOR闪存 S29AL016J70BFI020 允许高速微处理器无需等待状态运行。为了消除总线争用，该设备具有独立的芯片启用(CE#)、写入启用(WE#)和输出启用(OE#)控件。该设备只需要一个3.0伏的电源就可以实现读写功能。为程序和擦除操作提供内部生成和调节电压。NOR闪存 S29AL016J70BFI020 是完全兼容JEDEC单电源闪存标准的命令集。命令使用标准微处理器写入时间写入命令寄存器。寄存器内容作为控制擦除和编程电路的内部状态机的输入。写周期还包括内部锁存器地址和编程和擦除操作所需的数据。从设备中读取数据类似于从其他Flash或EPROM设备中读取数据。设备编程是通过执行程序命令序列来实现的。这启动了嵌入式程序算法——一种内部算法，它自动计算程序脉冲宽度，并验证适当的单元格边界。解锁旁路模式只需要两个写入周期，而不是四个，从而加快编程速度
- 批号：
23+
- 价格：
S29GL256P10TFI010
- 品牌：
赛普拉斯
- 封装：
TSOP56
- 数量：
35668
- 备注：
存储器S29GL256P10TFI010 系列由1 Gb、512 Mb、256 Mb和128mb组成，仅限3.0伏的页面模式Flash设备，为当今嵌入式设计进行了优化，嵌入式设计需要较大的存储阵列和丰富的功能。存储器S29GL256P10TFI010 这些设备是使用90纳米镜面技术制造的。存储器S29GL256P10TFI010 这些产品提供统一的64 Kword (128 Kbyte)统一扇区，并具有万能控制功能，允许控制和I/O信号从1.65 V运行到VCC。Additional 特性 include: Single 字 编程 或 32-word 编程 缓冲 增加 编程 速度 Program Suspend/Resume 和 Erase Suspend/Resume Advanced Sector Protection 方法 保护 部门 要求 128 年 words/256 字节 的 Secured Silicon 区域 来 存储 客户 和 工厂 的 安全 信息安全的硅段是一次性可编程的。 存储器S29GL256P10TFI010 字节#引脚控制设备数据I/O引脚是否在字节或字配置中操作。如果将字节#引脚设置为逻辑“1”，则设备处于word配置中，DQ0-DQ15是活动的，并由CE#和OE#控制。如果将字节#引脚设置为逻辑“0”，则设备处于字节配置中，只有数据I/O引脚DQ0-DQ7是活动的，并由CE#和OE#控制。数据I/O引脚DQ8-DQ14是三态的，DQ15引脚用作LSB (A-1)地址函数的输入。 leiotm (VIO)控制允许主机系统设置设备对所有输入和输出(地址、控制和DQ信号)产生和容忍的电压水平。VIO的范围是1.65到VCC。有关此设备上的VIO选项，请参阅第4页中的订购信息。例如，VIO的电压为1.65-3.6伏，允许在1.8或3伏级别上进行I/O操作，驱动和接收来自同一数据总线上的其他1.8或3伏设备的信号。 7.4读取所有内存需要访问时间才能输出阵列数据。在读取操作中，每次从一个内存位置读取数据。地址以随机顺序呈现给设备，通过设备的传播延迟导致其输出的数据与输入的地址一起到达。设备默认在设备启动或硬件重置后读取阵列数据。要从内存数组中读取数据，系统必须首先在Amax-A0上断言一个有效地址，同时将OE#和CE#驱动到VIL。我们必须留在VIH。所有地址都锁定在ce#的下端。在地址访问时间(tACC)之后，数据将出现在DQ15-DQ0上，等于从稳定地址到有效输出数据的延迟。OE#信号必须驱动到VIL。假设tACC访问时间已满足，则在访问时间(tOE)从OE#的下降沿经过后，在DQ15-DQ0引脚上输出数据
- 批号：
23+
- 价格：
S34ML01G100TFI000
- 品牌：
赛普拉斯
- 封装：
TSOP48
- 数量：
35668
- 备注：
NANR闪存S34ML01G100TFI000 密度1 Gb / 2 Gb / 4 Gb架构输入/输出总线宽度:8位或16位页面大小:××8 = 2112(2048 + 64)字节;64字节为空闲区x16 = 1056(1024 + 32)个单词;32字是备用区域块大小:64页××8 = 128 KB + 4 KB乘16 = 64 k + 2 k字平面尺寸:1 Gb / 2 Gb: 1024块每架飞机×8 = 128 MB + 4 MB乘16 = 64 + 2米字4 Gb: 2048块每架飞机×8 = 256 MB + 8 MB乘16 = 128 + 4 m字设备大小:1 Gb: 1平面/设备或128 MB2 Gb: 2飞机/设备或256 MB4 Gb: 2飞机/设备或512 MB NANR闪存S34ML01G100TFI000 NAND闪存接口开放NAND闪存接口(ONFI) 1.0兼容地址、NANR闪存S34ML01G100TFI000 数据和命令多路复用电源电压3.3 - v设备:Vcc = 2.7 V ~ 3.6 V安全一次可编程(OTP)区域硬件程序/消除权力过渡期间禁用附加功能2 Gb和程序支持多翼机4 Gb部分擦除命令支持复制程序2 Gb和程序支持多翼机复制4 Gb部分支持读缓存NANR闪存S34ML01G100TFI000 电子签名制造商ID: 01 h操作温度工业:-40°C到85°C汽车:-40°C到105°C 性能页面读/程序随机访问:25μs (Max)顺序存取:25 ns (Min)项目时间/多翼机项目时间:200年μs (Typ)块擦除(S34ML01G1)块擦除时间:2.0毫秒(Typ)块擦除/多翼机擦除(S34ML02G1 S34ML04G1)块擦除时间:3.5毫秒(Typ)可靠性100000项目/消除周期(Typ)每528个字节(1位ECC(×8)或264字())10年数据保留(Typ) For 一 架 飞机 结构 (1-Gb density) Block 零 有效 , 有效期 为 至少 1000 program-erase 周期 与 ECC For 两 平面 结构 (2-Gb 4-Gb densities) Blocks 0 和 1 是 有效 且 有效期 至少 1000 program-erase 周期 ECC Package 选项 Lead Free 和 Low Halogen 48-Pin TSOP 12 20 1.2 毫米 63 - Ball BGA 9 11 1 毫米
- 批号：
23+
- 价格：
