IS61NLP25618A-200TQLI
- 品牌：
ISSI
- 封装：
TQFP100
- 数量：
3568
- 备注：
IS61NLP12832A IS61NLP12836A / IS61NVP12836A IS61NLP25618A / IS61NVP25618A特性 存储器IS61NLP25618A-200TQLI 100%总线利用率之间没有等待周期读写内部山顶的写周期存储器IS61NLP25618A-200TQLI 单个字节写控制单一R / W(读/写)控制销时钟控制,注册地址、数据和控制交叉或线性破裂顺序控制使用模式输入三个芯片使简单的深度发展和解决流水线断电模式通用数据输入和数据输出CKE销,使时钟和停止作业100 -销TQFP电平,·电源:NVP: VDD 2.5V(±5%)，VDDQ 2.5V(±5%)NLP: VDD 3.3V(±5%)，VDDQ 3.3V/2.5V(±5%描述存储器IS61NLP25618A-200TQLI 4 Meg NLP/NVP系列产品具有高速、存储器IS61NLP25618A-200TQLI 低功耗同步静态ram，旨在为网络和通信应用程序提供一个稳定、高性能、无等待状态的设备。它们由32位128K字、36位128K字和18位256K字组成，采用ISSI先进的CMOS技术制造。结合“不等待”状态特性，当总线从读切换到写或从写切换到读时，将消除等待周期。该装置集成了一个2位突发计数器，高速SRAM核心，高驱动能力输出到一个单一的单片机。所有通过寄存器的同步输入都由一个正边触发的单时钟输入控制。当时钟启用时，可能会挂起操作并忽略所有同步输入，CKE值很高。在这种状态下，内部设备将保存它们以前的值。所有读、写和取消选择循环都由ADV输入发起。当ADV高时，内部突发计数器增加。新的外部地址可以加载时，ADV低。写周期在内部是自动计时的，它是由时钟输入的上升沿和我们处于低电平时启动的。单独的字节允许写入单独的字节。突发模式pin (mode)定义突发序列的顺序。当系高时，选择交错爆破序列。当绑定较低时，选择线性突发序列。
- 批号：
23+
- 价格：
IS61WV20488FBLL-10BLI
- 品牌：
ISSI
- 封装：
BGA
- 数量：
35668
- 备注：
2Mx8高速异步CMOS静态RAM, 3.3V/1.8V供电 随机存储器IS61WV20488FBLL-10BLI FEATURES High-speed 访问 time: 8 ns, 10 ns, 20 ns High- performance, 低 功率 CMOS 过程 Multiple 中心 电力 和 地面 销 更 大 的 噪声 免疫力 TTL 兼容 的 输入 和 输出 Single 电源 – V 1.65 - 2.2 V VDD (IS61WV20488FALL) – V 2.4 - 3.6 V VDD (IS61/64WV20488FBLL)随机存储器IS61WV20488FBLL-10BLI Packages : - 44 销 TSOP (Type II) - 48 球 迷你 BGA (6mm x 8 mm) - 随机存储器IS61WV20488FBLL-10BLI 54 销 TSOP (Type II) Industrial Automotive 温度 支持 Lead-free 可用 Data Control 上下 bytes ISSI IS61/64WV20488FALL/BLL是高速、16M位静态ram，由8位组成2048K个单词。随机存储器IS61WV20488FBLL-10BLI 它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这一高度可靠的过程加上创新的电路设计技术，产生高性能和低功耗的设备。当c#高(非选)时，设备采用待机模式，在待机模式下，功耗可以随着CMOS输入电平的降低而降低。简单的内存扩展是通过使用芯片启用和输出启用输入提供的。active LOW Write Enable (WE#)控制内存的写入和读取。这些设备采用JEDEC标准的44针TSOP (II型)、48针mini BGA (6mm x 8mm)和54针TSOP (II型)进行封装
- 批号：
23+
- 价格：
IS61WV5128BLL-10KLI
- 品牌：
ISSI
- 封装：
SOJ36
- 数量：
35668
- 备注：
描述ISSI是61wv5128axx和IS61/64WV5128Bxx 非常高速，低功耗，524288字由8位CMOS静态ram。IS61WV5128Axx和 IS61/64WV5128Bxx是用ISSI的high-制造的CMOS技术性能。这是非常可靠的亲 cess结合创新的电路设计技术，具有更高的性能和更低的功耗设备。当CE高(取消选择)时，设备假定 一种功耗可以达到的待机模式 随着CMOS输入电平的降低而降低。IS61WV5128Axx和IS61/64WV5128Bxx运行从一个单一的电源。 IS61WV5128ALL和IS61/64WV5128BLL是有效的能够在36针400-mil SOJ, 36针迷你BGA，和44针TSOP (II型)包装。IS61WV5128ALL /肌萎缩性侧索硬化症IS61WV5128BLL /劳工统计局IS64WV5128BLL /劳工统计局 512K x 8高速异步CMOS静态RAM2009年8月描述ISSI是61wv5128axx和IS61/64WV5128Bxx非常高速，低功耗，524288字由8位CMOS静态ram。IS61WV5128Axx和存储器IS61WV5128BLL-10KLI IS61/64WV5128Bxx是用ISSI的high-制造的 CMOS技术性能。这是非常可靠的亲存储器IS61WV5128BLL-10KLI cess结合创新的电路设计技术，存储器IS61WV5128BLL-10KLI 具有更高的性能和更低的功耗存储器IS61WV5128BLL-10KLI 设备。
- 批号：
23+
- 价格：
LCMXO1200C-3FTN256C
- 品牌：
LATTICE
- 封装：
BGA256
- 数量：
3568
- 备注：
深圳市旺财半导体有限公司是一家大型、专业的电子元器件分销商，公司总部设在深圳，并在香港等地设有分支机构。目前公司一级代理台湾恒业晶片天线chipAneenna，代理融和触摸芯片，无线充芯片无线充方案研发，公司拥有多年半导体市场营销及推广经验，并依靠领先的技术、丰富的产品线、强大的销售网络和优秀的本地化服务，成为了业界同行中的佼佼者！ 公司在香港、深圳常备现货，主要销售FSC、IR、XILINX、TI、MAXIM、ST、NS等国际知名品牌产品。至今，公司的客户已经遍及汽车制造、医疗器械、军事、航空航天、精密仪器、安防、家电、通信网络以及工业控制等诸多领域，并取得了骄人的市场业绩，获得业界及客户的广泛认同和高度赞誉。旺财多年如一日，坚持一贯的诚信作风，为成千上万的中国电子设备制造商提供生产所需的元器件，在全球各地开辟了广泛和稳固的供货渠道，长期致力于电子元器件在中国的推广！ 公司拥有一支高素质的人才队伍，不仅有优秀的销售部门，另外还创建了一支技术支持团队，随时为客户提供技术服务。公司有完善的服务流程, 按ISO9001体系运作内部管理，并长期推行全面质量管理（TQM）文化，具有国际竞争优势。 旺财半导体的优势：大量海外现货、偏、冷门及国外订货—不仅价格优于国内各代理商，而且货期短、交货快捷！ 旺财的承诺：所有销售产品均为原厂正品原装货，保证质量! 可免费提供技术资料！ 旺财的技术：先进的数据库查询系统，能向您提供准确及时的行业和技术信息。 旺财的团队：专业化的全球采购及销售队伍，丰富的采购及销售经验。 公司的宗旨：视信誉为生命，以客户为中心！ 我们真诚欢迎广大客户与我们建立长期友好的合作关系，旺财伴您一路同行！ 主营范围：公司专业销售正品IC集成电路、二极管、三极管、稳压管,场效应管,可控硅,达林顿管,三端稳压管,光电耦合器、触发管、DIP SMD电容，电感，电阻等电子元器配件。
- 批号：
23+
- 价格：
LE80CD-TR
- 品牌：
ST
- 封装：
SOP-8
- 数量：
35668
- 备注：
Very 低压 差 电压 (0.2 V typ.) Very 低 静态 电流 (typ.50 μA OFF mode, 0.5 mA ON mode, 没有 load) Output 当前 100 mA Output voltages: 3 V, 3.3 V, 4.5 V, 5 V, 8 V Internal 电流 和 热 限制 Small 2.2 μF 电容器 稳定 Available 在 ±1% (A) 或 ±2% (C) 选择 25 °C Supply 电压 rejection: 80 dB (typ.) Temperature range: -40 - 125 °C 描述:LEXX是一个非常低的out稳压器，可在SO-8, TO-92包和广泛的输出电压范围。极低的漏出电压(0.2 V)和低的静止电流使其特别适用于低噪声、低功率的应用和电池供电系统。该设备是针对针兼容的L78L系列。此外，在8引脚配置(SO-8)中，它使用一个关机逻辑控制(引脚5,TTL兼容)。这意味着当该设备作为局部调节器使用时，可以将部分电路板置于待机状态，从而降低总功耗。在三端配置(TO-92)中，设备始终处于on状态。它需要一个2.2μF电容器的稳定性,降低组件的大小和成本。
- 批号：
23+
- 价格：
