赛普拉斯

TSOP56

35668

存储器S29GL256P10TFI010系列由1Gb、512Mb、256Mb和128mb组成，仅限3.0伏的页面模式Flash设备，为当今嵌入式设计进行了优化，嵌入式设计需要较大的存储阵列和丰富的功能。存储器S29GL256P10TFI010这些设备是使用90纳米镜面技术制造的。存储器S29GL256P10TFI010这些产品提供统一的64Kword(128Kbyte)统一扇区，并具有万能控制功能，允许控制和I/O信号从1.65V运行到VCC。Additional特性include:Single字编程或32-word编程缓冲增加编程速度ProgramSuspend/Resume和EraseSuspend/ResumeAdvancedSectorProtection方法保护部门要求128年words/256字节的SecuredSilicon区域来存储客户和工厂的安全信息安全的硅段是一次性可编程的。 存储器S29GL256P10TFI010字节#引脚控制设备数据I/O引脚是否在字节或字配置中操作。如果将字节#引脚设置为逻辑“1”，则设备处于word配置中，DQ0-DQ15是活动的，并由CE#和OE#控制。如果将字节#引脚设置为逻辑“0”，则设备处于字节配置中，只有数据I/O引脚DQ0-DQ7是活动的，并由CE#和OE#控制。数据I/O引脚DQ8-DQ14是三态的，DQ15引脚用作LSB(A-1)地址函数的输入。 leiotm(VIO)控制允许主机系统设置设备对所有输入和输出(地址、控制和DQ信号)产生和容忍的电压水平。VIO的范围是1.65到VCC。有关此设备上的VIO选项，请参阅第4页中的订购信息。例如，VIO的电压为1.65-3.6伏，允许在1.8或3伏级别上进行I/O操作，驱动和接收来自同一数据总线上的其他1.8或3伏设备的信号。 7.4读取所有内存需要访问时间才能输出阵列数据。在读取操作中，每次从一个内存位置读取数据。地址以随机顺序呈现给设备，通过设备的传播延迟导致其输出的数据与输入的地址一起到达。设备默认在设备启动或硬件重置后读取阵列数据。要从内存数组中读取数据，系统必须首先在Amax-A0上断言一个有效地址，同时将OE#和CE#驱动到VIL。我们必须留在VIH。所有地址都锁定在ce#的下端。在地址访问时间(tACC)之后，数据将出现在DQ15-DQ0上，等于从稳定地址到有效输出数据的延迟。OE#信号必须驱动到VIL。假设tACC访问时间已满足，则在访问时间(tOE)从OE#的下降沿经过后，在DQ15-DQ0引脚上输出数据

23+

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TSOP48

35668

NANR闪存S34ML01G100TFI000密度1Gb/2Gb/4Gb架构输入/输出总线宽度:8位或16位页面大小:××8=2112(2048+64)字节;64字节为空闲区x16=1056(1024+32)个单词;32字是备用区域块大小:64页××8=128KB+4KB乘16=64k+2k字平面尺寸:1Gb/2Gb:1024块每架飞机×8=128MB+4MB乘16=64+2米字4Gb:2048块每架飞机×8=256MB+8MB乘16=128+4m字设备大小:1Gb:1平面/设备或128MB2Gb:2飞机/设备或256MB4Gb:2飞机/设备或512MB NANR闪存S34ML01G100TFI000NAND闪存接口开放NAND闪存接口(ONFI)1.0兼容地址、NANR闪存S34ML01G100TFI000数据和命令多路复用电源电压3.3-v设备:Vcc=2.7V~3.6V安全一次可编程(OTP)区域硬件程序/消除权力过渡期间禁用附加功能2Gb和程序支持多翼机4Gb部分擦除命令支持复制程序2Gb和程序支持多翼机复制4Gb部分支持读缓存NANR闪存S34ML01G100TFI000电子签名制造商ID:01h操作温度工业:-40°C到85°C汽车:-40°C到105°C 性能页面读/程序随机访问:25μs(Max)顺序存取:25ns(Min)项目时间/多翼机项目时间:200年μs(Typ)块擦除(S34ML01G1)块擦除时间:2.0毫秒(Typ)块擦除/多翼机擦除(S34ML02G1S34ML04G1)块擦除时间:3.5毫秒(Typ)可靠性100000项目/消除周期(Typ)每528个字节(1位ECC(×8)或264字())10年数据保留(Typ) For一架飞机结构(1-Gbdensity)Block零有效,有效期为至少1000program-erase周期与ECCFor两平面结构(2-Gb4-Gbdensities)Blocks0和1是有效且有效期至少1000program-erase周期ECCPackage选项LeadFree和LowHalogen48-PinTSOP12201.2毫米63-BallBGA9111毫米

23+

ST

LQFP64

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XILXIX

VQFP44

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FBGA存储器XC18V512VQ44CXilinx介绍了XC18V00系列的系统内可编程配置程序(图1)。FBGA存储器XC18V512VQ44C这个3.4v系列的设备包括一个4兆、一个2兆、一个1兆和一个512kbPROM，它提供了一种简单、经济的方法来重新编程和存储XilinxFPGA配置位流。FBGA存储器XC18V512VQ44C当FPGA处于主串行模式时，它生成一个驱动PROM的配置时钟。在启用CE和OE之后的短访问时间内，可以使用连接到FPGADINpin的PROM数据(D0)pin上的数据。新数据可以在每次上升时钟边缘后的短时间内访问。FPGA产生适当数量的时钟脉冲来完成配置。当FPGA处于从串行模式时，FBGA存储器XC18V512VQ44C外部时钟对PROM和FPGA进行时钟计时。 当FPGA处于主选择映射模式时，FPGA生成一个驱动PROM的配置时钟。当FPGA处于从并行或从选择映射模式时，外部振荡器生成驱动PROM和FPGA的配置时钟。启用CE和OE之后，PROM的数据(D0-D7)插脚上的数据就可用了。新数据可以在每次上升时钟边缘后的短时间内访问。数据在CCLK上升沿上的FPGA中打卡。自由运行的振荡器可以在从机并行模式或从机选择映射模式下使用。通过使用CEO输出驱动以下设备的CE输入，可以级联多个设备。在这个链中，所有舞会的时钟输入和数据输出是相互连接的。所有设备是兼容的，可以级联与其他成员的家庭或与XC17V00一次性可编程串行PROM家庭。

23+